Nambari ya Bidhaa ya Mtengenezaji:
TSM60N380CI C0G
Product Overview
Mtengenezaji:
Taiwan Semiconductor Corporation
Nambari ya Kipande:
TSM60N380CI C0G-DG
Maelezo:
MOSFET N-CH 600V 11A ITO220AB
Maelezo ya Kina:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Hesabu:
12949919
Omba Nukuu
Kiasi
Kiasi cha chini 1
Kiasi cha chini 1
X1Nf
(*) ni lazima
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
Tutakurudishia jibu ndani ya masaa 24
TUMA
TSM60N380CI C0G Maalum ya Kiufundi
Kikundi
FETs, MOSFETs, FET moja, MOSFETs
Mtengenezaji
Taiwan Semiconductor
Ufungashaji
-
Mfululizo
-
Hali ya Bidhaa
Obsolete
Aina ya FET
N-Channel
Teknolojia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain kwa Voltage ya Chanzo (Vdss)
600 V
Sasa - Drain inayoendelea (id) @ 25 ° C
11A (Tc)
Voltage ya Hifadhi (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Kwenye (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Malipo ya lango (Qg) (Max) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Uwezo wa kuingiza (Ciss) (Max) @ Vds
1040 pF @ 100 V
Kipengele cha FET
-
Usambazaji wa Nguvu (Max)
125W (Tc)
Joto la Uendeshaji
-55°C ~ 150°C (TJ)
Aina ya Kuweka
Through Hole
Kifurushi cha Kifaa cha Muuzaji
ITO-220AB
Kifurushi / Kesi
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Nambari ya Bidhaa ya Msingi
TSM60
Karatasi za Takwimu na Nyaraka
Karatasi za data
Taarifa za Ziada
Kifurushi cha Kawaida
50
Majina mengine
TSM60N380CI C0G-DG
TSM60N380CIC0G
Uainishaji wa Mazingira na Usafirishaji
Hali ya RoHS
ROHS3 Compliant
Kiwango cha Usikivu wa Moisture (MSL)
1 (Unlimited)
Hali ya REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mifano Mbadala
NAMBARI YA SEHEMU
SIHA12N60E-E3
MTENGENEZAJI
Vishay Siliconix
KIASI KILICHOPATIKANA
923
Nambari ya Sehemu
SIHA12N60E-E3-DG
BEI YA KILA KITU
0.99
AINA YA KUBADILISHA
Similar
Digi Cheti
Bidhaa Zinazohusiana
TSM170N06CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO252
DMT6008LFG-13
MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
TSM500N03CP ROG
MOSFET N-CH 30V 12.5A TO252
